[发明专利]像素电极接触孔设计有效
| 申请号： | 201910845949.4 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110676264B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王建刚 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 杨瑞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种像素电极接触孔设计，包括多个呈阵列排布的第一电极，每一所述第一电极包括第一侧、第二侧与第一接触孔，所述第一接触孔位于所述第一侧；多个蚀刻药液通道，每一所述蚀刻药液通道位于所述第二侧之间；多个第二电极，位于所述第一侧之间，每一所述第二电极包括第一端、第二端与第二接触孔，所述第一端延伸至所述蚀刻药液通道，所述第二接触孔位于所述第一端。本发明提供的像素电极接触孔设计，可以加快区域蚀刻药液的浸润，分割大块银残留甚至消除银蚀刻残留。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 电极 接触 设计 | ||
【主权项】：
1.一种像素电极接触孔设计，其特征在于，包括：/n多个呈阵列排布的第一电极，每一所述第一电极包括第一侧、第二侧与第一接触孔，所述第一侧的长度小于所述第二侧的长度，且所述第一接触孔位于所述第一侧；/n多个蚀刻药液通道，每一所述蚀刻药液通道位于所述第二侧之间；/n多个第二电极，位于所述第一侧之间，每一所述第二电极包括第一端、第二端与第二接触孔，所述第一端延伸至所述蚀刻药液通道，所述第二端位于所述第一侧上相邻两所述第一接触孔之间，且所述第二接触孔位于所述第一端。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
