[发明专利]一种自支撑过渡金属硫化物薄膜电催化电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910847025.8 申请日: 2019-09-09
公开(公告)号: CN110512232B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 朱宏伟;王敏;张礼 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C25B11/075 分类号: C25B11/075;C25B1/04;C23C8/62;B01J27/047;B01J27/04;B01J27/051
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 邸更岩
地址: 100084 北京市海淀区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种自支撑过渡金属硫化物薄膜电催化电极及其制备方法,属于电催化电极材料技术领域。该电极包含活性材料和金属基底,所述活性材料为过渡金属硫化物薄膜,金属基底为过渡金属箔片,活性材料原位生长在金属基底上。本发明还公开了所述自支撑过渡金属硫化物薄膜电催化电极的制备方法,为表面辅助的化学气相传输法:将过渡金属箔片和硫粉真空密封在石英管中进行一步反应,在金属箔片表面原位生长过渡金属硫化物薄膜。该方法具有以下技术效果:过渡金属箔片不仅提供金属源,也是薄膜形核长大的基底,原位生长确保二者紧密结合;真空下反应,薄膜均匀纯净、结晶性好。得到的自支撑电催化电极,具有催化活性高、导电性好、稳定性强和制备简单的优点。
搜索关键词: 一种 支撑 过渡 金属 硫化物 薄膜 电催化 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种自支撑过渡金属硫化物薄膜电催化电极,其特征在于:该电极包含活性材料和金属基底,所述活性材料为过渡金属硫化物薄膜,金属基底为过渡金属箔片;所述活性材料原位生长在所述金属基底的表面,二者紧密结合,形成自支撑结构。/n
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