[发明专利]温度控制系统和温度控制方法在审
| 申请号： | 201910847198.X | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN111048437A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 小林启;有田毅彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及温度控制系统和温度控制方法。温度控制系统包括：使载热体在形成于部件的流路中循环的第一泵；第二泵；温度调节单元；第一流路；第二流路；设置于第一流路的第一阀；设置于第二流路的第二阀；第一旁通流路，其在比第一阀和第二阀靠温度调节单元侧，旁通第一流路和第二流路；第二旁通流路，其在比第一阀和第二阀靠形成于部件的流路侧，旁通第一流路和第二流路；设置于第一旁通流路的第三阀；和设置于第二旁通流路的第四阀，第一阀和第二阀的组以及第三阀和第四阀的组中至少一组为能够调节流量的调节阀。本发明能够大范围且高速地改变载热体的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 控制系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
