[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201910847366.5 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110707089B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 王启光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底的端部形成有N层台阶，一层所述台阶的水平面与相邻层所述台阶的竖直面相连形成角落；在所述基底的顶表面上形成阻挡层；形成覆盖所述角落的保护层，所述保护层具有覆盖所述竖直面的侧部和沿远离所述竖直面的方向延伸的延伸部，所述延伸部覆盖部分所述水平面；以所述阻挡层和所述保护层为掩膜对所述基底进行刻蚀，以形成新的台阶；去除所述延伸部后，继续沿着所述阻挡层和所述保护层对所述基底进行刻蚀，以再次形成新的台阶。本发明解决了由于曝光和刻蚀的次数刻蚀较多，三维存储器的制备速度较低，制备成本增加的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底的端部形成有N层台阶，一层所述台阶的水平面与相邻层所述台阶的竖直面相连形成角落；/n在所述基底的顶表面上形成阻挡层；/n形成覆盖所述角落的保护层，所述保护层具有覆盖所述竖直面的侧部和沿远离所述竖直面的方向延伸的延伸部，所述延伸部覆盖部分所述水平面；/n以所述阻挡层和所述保护层为掩膜对所述基底进行刻蚀，以形成新的台阶；/n去除所述延伸部后，继续沿着所述阻挡层和所述保护层对所述基底进行刻蚀，以再次形成新的台阶。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
