[发明专利]一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用有效
| 申请号： | 201910847897.4 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110698077B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 牛广达;唐江;潘伟程;杨波 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C04B41/85;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/115 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于以半导体材料制备的辐射探测技术领域，公开了一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用，其中制备方法具体是：(1)将铯铅卤素钙钛矿材料分散在基底上，然后加热使温度升至铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，直至铯铅卤素钙钛矿完全熔化成液态；(2)将石英片覆盖在液态的钙钛矿材料上，使被石英片覆盖的液态钙钛矿材料在所述基底上均匀分散；(3)将温度以0.1～5℃/min的速率缓慢降低进行冷却，然后将石英片揭掉，即可得到粘连在基底上的钙钛矿厚膜。本发明通过对制备方法的整体工艺流程设计(包括温度控制程序)等进行改进，能够获得高性能、取向一致、稳定的、高灵敏度大面积厚膜，解决现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、取向不一致等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤素 钙钛矿厚膜 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铯铅卤素钙钛矿厚膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)将铯铅卤素钙钛矿材料置于基底上，然后加热使温度升至铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，直至铯铅卤素钙钛矿完全熔化成液态；/n(2)保持温度维持在铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，将石英片覆盖在液态的钙钛矿材料上，使被石英片覆盖的液态钙钛矿材料在所述基底上均匀分散；/n(3)将温度以0.1～5℃/min的速率缓慢降低进行冷却，然后将石英片揭掉，利用石英片与铯铅卤素钙钛矿之间的惰性，即可得到粘连在基底上的钙钛矿厚膜，该钙钛矿厚膜即为厚度不低于1um的铯铅卤素钙钛矿厚膜。/n
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