[发明专利]一种3D NAND存储器的读取方法及装置有效
| 申请号： | 201910848936.2 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110556148B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王礼维 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种3D NAND存储器的读取方法及装置，在时钟触发信号之前，将每个组中参考位线预充至预设电压，在地址译码之后，在目标位线与参考位线不同时，通过将目标位线与参考位线连接，使得目标位线处于可读取电压的状态，进而，在选中目标字线后，获取目标位线上的感应电流。这样，参考位线的预充无需占用时钟时间，而目标位线通过与参考位线的连接而处于可读取电压的状态，这种耦合方式较预充方式几乎无需占用时钟时间，可以大大减少读取操作的时钟时间，同时，可以大大降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储器 读取 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器的读取方法，其特征在于，所述存储器包括存储单元串组成的存储阵列，每个存储单元串连接至一条位线，存储阵列中的位线分成多个组，所述读取方法包括：/n在时钟信号触发之前将各组中参考位线预充至预设电压，参考位线为组中的一条位线；/n进行地址译码，以获得目标位线和目标字线；/n当目标位线与参考位线不同时，将目标位线与参考位线连接，使得目标位线处于可读取电压的状态；/n在使能目标字线后，获取目标位线上的感应电流。/n
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