[发明专利]镧掺杂的三氧化钼及其制备方法、超级电容器电极和超级电容器有效
| 申请号： | 201910851067.9 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111477460B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 高艳芳;石子君;李立军 | 申请（专利权）人： | 内蒙古工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/46;C01G39/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010051 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种镧掺杂的三氧化钼及其制备方法，和超级电容器电极以及包含其的超级电容器，更具体的，涉及一种不仅具有较高的的比电容、同时具有良好的电化学稳定性镧掺杂的三氧化钼及其制备方法，以及电极性能优良、具有较高的放电比电容和良好的循环稳定性的超级电容器电极及超级电容器。所述镧掺杂三氧化钼在超级电容器领域表现出超高的电化学性能。同时该制备方法简单、绿色、环保、成本低，有利于该负极材料在超级电容器产业中的大规模应用。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化钼 及其 制备 方法 超级 电容器 电极 | ||
【主权项】：
暂无信息
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