[发明专利]半导体装置及其制造方法、基板及其制造方法和制造装置有效
| 申请号： | 201910851158.2 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN111524809B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 西尾让司;太田千春;饭岛良介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/336;H01L21/329;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 能够提供一种能使特性稳定的半导体装置及其制造方法、基板及其制造方法和制造装置。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括如下第1工序：使设置在包含碳化硅的基体上的第1半导体层的堆垛层错扩展，所述第1半导体层包含碳化硅和第1元素，所述第1元素包含选自N、P以及As中的至少一种。所述制造方法包括如下第2工序：在第1工序后在所述第1半导体层上形成包含碳化硅和所述第1元素的第2半导体层。所述制造方法包括如下第3工序：在所述第2半导体层上形成包含碳化硅和第2元素的第3半导体层，所述第2元素包含选自B、Al以及Ga中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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