[发明专利]具有亥姆霍兹谐振腔的MEMS压电超声换能器有效
| 申请号： | 201910851197.2 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110681559B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;朱伟;吴志鹏;王磊;胡博豪;林炳辉;周禹 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 郑勤振 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种MEMS压电超声换能器，压电式超声换能器(11)形成在衬底层(1)上，该衬底层(1)内形成有亥姆霍兹谐振腔(16)，亥姆霍兹谐振腔(16)的谐振频率与压电式超声换能器(11)的谐振频率一致，亥姆霍兹谐振腔(16)包括高度大于压电式超声换能器(11)最大振幅的第一空腔(6)，第一空腔(6)的中部下沉形成第二空腔(9)，第一空腔(6)通过压电式超声换能器(11)上的通孔(7)与外部连通。本公开明显减小了亥姆霍兹谐振腔的容积，提高了亥姆霍兹谐振腔的谐振频率。将换能器的谐振频率与亥姆霍兹谐振腔匹配可以最终提高MEMS压电超声换能器的谐振频率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 亥姆霍兹 谐振腔 mems 压电 超声 换能器 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS压电超声换能器，其特征在于，压电式超声换能器(11)形成在衬底层(1)上，该衬底层(1)内形成有亥姆霍兹谐振腔(16)，亥姆霍兹谐振腔(16)的谐振频率与压电式超声换能器(11)的谐振频率一致；亥姆霍兹谐振腔(16)包括高度大于压电式超声换能器(11)最大振幅的第一空腔(6)，第一空腔(6)的中部下沉形成的第二空腔(9)，和压电换能器(11)上的通孔(7)；第一空腔(6)通过通孔(7)与外部连通。/n
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