[发明专利]具有亥姆霍兹谐振腔的MEMS超声定位传感器有效
| 申请号： | 201910851350.1 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110681560B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;朱伟;吴志鹏;王磊;胡博豪;林炳辉;周禹 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 郑勤振 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MEMS超声定位传感器，包括：上层衬底(3)；亥姆霍兹谐振腔(2)，形成于上层衬底(3)内；压电式超声发射单元(9)，位于上层衬底(3)上，其上具有至少一个与亥姆霍兹谐振腔(2)连通的通孔(7)；超声接收单元(1)，位于亥姆霍兹谐振腔(2)底部；其中，亥姆霍兹谐振腔(2)的谐振频率与压电式超声发射单元(9)的谐振频率相同，超声接收单元(1)的谐振频率大于或等于压电式超声发射单元(9)的谐振频率。本公开的MEMS超声定位传感器，可以提高传感器的能量转换效率和避免传感器的串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 亥姆霍兹 谐振腔 mems 超声 定位 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS超声定位传感器，其特征在于，包括：/n上层衬底(3)；/n亥姆霍兹谐振腔(2)，形成于上层衬底(3)内；/n压电式超声发射单元(9)，包括位于上层衬底(3)上的压电叠层(8)或压电双晶片(16)，且压电叠层(8)、压电双晶片(16)上具有一个或多个与亥姆霍兹谐振腔(2)连通的通孔(7)；/n超声接收单元(1)，位于亥姆霍兹谐振腔(2)底部；/n其中，亥姆霍兹谐振腔(2)的谐振频率与压电式超声发射单元(9)的谐振频率相同，超声接收单元(1)的谐振频率大于或等于压电式超声发射单元(9)的谐振频率。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910851350.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有亥姆霍兹谐振腔的MEMS压电超声换能器
- 下一篇：一种砂石筛分装置
