[发明专利]金属-绝缘体-金属电容结构的制造方法在审
| 申请号： | 201910851976.2 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110970559A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 沈香谷;高铭鸿;陈蕙祺;陈殿豪;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/522;H01L27/07 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 金属‑绝缘体‑金属电容结构的制造方法包含形成底电极，形成第一氧化物层相邻于底电极，以及在底电极和第一氧化物层上形成第一高介电常数的介电层。然后在第一高介电常数的介电层上形成中间电极，以及形成第二氧化物层相邻于中间电极。可在中间电极和第二氧化物层上沉积第二高介电常数的介电层，以及在第二高介电常数的介电层上沉积顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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