[发明专利]一种场氧化层及其形成方法有效
| 申请号： | 201910853757.8 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110517957B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘长振;令海阳;刘宪周;吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种场氧化层及其形成方法，场氧化层的形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成氧化层；在氧化层上硬掩模层和图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀硬掩模层，以形成图形化的硬掩模层，并清除光刻胶层；以及以图形化的硬掩模层为掩模，刻蚀氧化层，以形成场氧化层。本发明通过以图形化的所述硬掩模层为掩模，刻蚀所述氧化层，使得所述氧化层与所述半导体衬底之间的夹角α符合要求场氧化层与半导体衬底之间的夹角，即，所述夹角α在40°～60°之间，该夹角使得后续在场氧化层上形成的场板没有出现多晶硅残留的问题，同时还提高了击穿电压，从而提高了半导体器件的电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场氧化层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一半导体衬底；/n在所述半导体衬底上形成氧化层；/n在所述氧化层上硬掩模层和图形化的光刻胶层；/n以图形化的所述光刻胶层为掩模，刻蚀所述硬掩模层，以形成图形化的硬掩模层，并清除所述光刻胶层；以及/n以图形化的所述硬掩模层为掩模，刻蚀所述氧化层，以形成场氧化层，并清除所述硬掩模层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910853757.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
