[发明专利]通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法在审
| 申请号： | 201910853998.2 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110459952A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 张明洋;邹易;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/20;H01S5/34 |
| 代理公司： | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 许美红<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430014湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法，包括步骤：在有源区的下光限制层上面制作出光栅后，在光栅上面制作出选择性区域生长SAG的掩膜遮挡图形，该掩膜图形覆盖在有源区部分，且掩膜遮挡图形中间留有一缝隙，设置在有源区两侧的波导区无掩膜遮挡；有源区和波导区的量子阱结构外延生长，生成的有源区量子阱的厚度比波导区的量子阱厚度大；量子阱结构生长完成后去掉掩膜遮挡图形，继续外延生长半导体激光器芯片的其他层。本发明可提高半导体激光器芯片可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 掩膜 半导体激光器芯片 遮挡 波导区 选择性区域生长 量子阱结构 光栅 外延生长 量子阱 光限制层 掩膜图形 厚度比 生长 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种通过选择性区域生长SAG提高半导体激光器芯片可靠性的制作方法，其特征在于，包括步骤：/n在有源区的下光限制层上面制作出光栅后，在光栅上面制作出选择性区域生长SAG的掩膜遮挡图形，该掩膜图形覆盖在有源区部分，且掩膜遮挡图形中间留有一缝隙，设置在有源区两侧的波导区无掩膜遮挡；/n有源区和波导区的量子阱结构外延生长，生成的有源区量子阱的厚度比波导区的量子阱厚度大；/n量子阱结构生长完成后去掉掩膜遮挡图形，继续外延生长半导体激光器芯片的其他层。/n
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