[发明专利]一种导通型双界面IC智能卡载带直接封装的生产工艺在审
申请号: | 201910855021.4 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN110752160A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 吴灏;马兴光;刘明箭;陈凯;朱晓斌 | 申请(专利权)人: | 黄石市星光电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 11589 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 陆滢炎 |
地址: | 435003 湖北省黄石*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种导通型双界面IC智能卡载带直接封装的生产工艺,包括以下步骤:先取消焊接面导线,再冲孔、覆铜、烘烤蚀刻、孔壁导通、压膜、加入焊盘、双面曝光、DES、中检、电镀、分切、成检以及出货;本发明涉及的生产工艺通过将原有焊接面的所有导线可以全部取消,在成本上面可以直接下降20%‑25%的成本,改为卷状的生产工艺,卷状的生产工艺对表面镀层的一致性能够提高,表面没有水印、磨花的现象对产品表面的品质能够得到保证,效率可以直接提高30%左右,利用孔连接导线位置,焊接面空进行增加焊盘的工艺,同时可以进行双面曝光,完全可以不用两面线路单独生产的工艺流程。 | ||
搜索关键词: | 生产工艺 双面曝光 焊接面 导通 焊盘 卷状 蚀刻 表面镀层 产品表面 连接导线 直接封装 电镀 工艺流程 双界面 烘烤 水印 冲孔 出货 分切 覆铜 孔壁 磨花 压膜 载带 焊接 保证 生产 | ||
【主权项】:
1.一种导通型双界面IC智能卡载带直接封装的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:取消导线:取消原有焊接面所有导线,依据芯片的主要5点或者6点、8点固定位置进行设计焊点引线;/nS2:冲孔:根据导通孔位置进行冲孔;/nS3:覆铜:根据通用型线路布局线宽线距为0.05:0.04mm,采用单面覆铜的材料覆盖在基材上,铜箔专用型需要特殊采用13um以下的厚度;通用型采用32um铜箔;/nS4:烘烤蚀刻:对覆盖的铜箔进行烘烤,图像转移完成后将要蚀刻区域的保护膜通过碳酸钾显影去除,在蚀刻的过程中需要调整两面的不同压力,蚀刻段采用真空蚀刻的原理进行;/nS5:孔壁导通:将S2中冲孔孔径采用黑孔或水平沉铜工艺进行孔壁导通;/nS6:压膜:将基材预热到30-40℃,然后送入卷对卷压膜机中,对载带的双面进行压膜;/nS7:利用孔连接导线位置,在基材的焊接面新设计焊盘图形,图形位置可以分为两种,通用型的焊点位置和专用型的焊点位置,然后牵引焊盘出来,直接利用导封装工艺,将IC焊点与载带焊盘对接相连,进行封装;/nS8:双面曝光:要求制作特定的曝光底片贴在曝光机台面上面,在紫外光下进行曝光,设有遮光区域的干膜最终将被冲掉裸露出铜面,受紫外光照射的部分将硬化,并最终着附于板面;/nS9:经过双面曝光的载带送入DES,然后通过中检、电镀、分切、成检以及出货的流程,得到成品。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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