[发明专利]用于负显影的光掩模在审
申请号: | 201910857744.8 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110908237A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 河淳穆;金载熙;李庸旭;金容佑 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种用于负显影的光掩模。所述光掩模包括:主区域;以及划道区域,围绕主区域并包括第一道和第二道。第一道和第二道相对于主区域设置在彼此的第一相对侧处。第一道包括在第一方向上延伸的第一子道和在第一方向上延伸的第二子道。第一子道包括第一虚设图案,第二子道包括第二虚设图案。第一虚设图案和第二虚设图案被构造为将超过光阈值剂量的光辐射到负性光致抗蚀剂的设置在光掩模的第一道下方的第一部分。 | ||
搜索关键词: | 用于 显影 光掩模 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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