[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910857746.7 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111048486A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李斗铉;宋炫升;卢永昌;申宪宗;刘素罗;郑涌植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，其包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案在所述栅电极的一侧位于所述衬底上；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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