[发明专利]一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置在审
| 申请号： | 201910858620.1 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110408912A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 靳伟;崔国东;戴秀海 | 申请（专利权）人： | 光驰科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 上海申蒙商标专利代理有限公司 31214 | 代理人： | 周宇凡 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其涉及一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述装置包括真空镀膜室、射频等离子体面源以及多层式基片支架，所述真空镀膜室和所述射频等离子体面源相连通，所述多层式基片支架设置在所述真空镀膜室内并可在所述真空镀膜室的内部旋转，所述多层式基片支架具有至少两个沿高度方向叠置的基片装载位，且所述基片装载位垂直于所述射频等离子体面源布置。本发明的优点是：把射频等离子体面源和多层转架装片系统结合，可实现同时多片成膜功能，大大提高了等离子体增强原子层沉积的基片装载量，提高生产效率；面型等离子体源的加入可有效降低原子层沉积成膜时的温度窗口；具有结构紧凑、占地面积小、运营成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 射频等离子 原子层沉积 真空镀膜室 基片支架 多层式 旋转等离子体 成膜装置 基片装载 多片式 等离子体增强原子层沉积 薄膜制备技术 等离子体源 成膜功能 生产效率 运营成本 真空镀膜 装片系统 装载量 成膜 叠置 多层 多片 面型 转架 垂直 室内 | ||
【主权项】：
1.一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置，其特征在于：所述装置包括真空镀膜室、射频等离子体面源以及多层式基片支架，所述真空镀膜室和所述射频等离子体面源相连通，所述多层式基片支架设置在所述真空镀膜室内并可在所述真空镀膜室的内部旋转，所述多层式基片支架具有至少两个沿高度方向叠置的基片装载位，且所述基片装载位垂直于所述射频等离子体面源布置。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
