[发明专利]光电催化半导体材料的活性调控方法有效
| 申请号： | 201910858755.8 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110449172B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘乐全;张琪琪;刘敏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25B11/073 | 分类号： | C25B11/073;C25B1/04;C25B1/55;C25B11/087 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李莎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电催化半导体材料的活性调控方法，采用卤离子对半导体材料制成的电极材料进行表面修饰。本发明的方法能够显著提高半导体材料的催化活性并降低催化成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 催化 半导体材料 活性 调控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电催化半导体材料的活性调控方法，采用卤离子对半导体材料制成的电极材料进行表面修饰。/n
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