[发明专利]平面电容传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201910858872.4 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110579225B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 张帅;田宏伟;左岳平;孟秋华;刘明;王晶 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/241 | 分类号： | G01D5/241 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 张聪聪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面电容传感器及其制作方法，包括第一平面电极、第二平面电极和介电层，所述第一平面电极与所述第二平面电极相对设置，且所述介电层位于所述第一平面电极与所述第二平面电极之间；其中，所述介电层在朝向所述第一平面电极的表面设置有凸起部，所述第一平面电极在朝向所述介电层的表面设置有凹陷部，所述凸起部嵌入所述凹陷部内。本发明通过改变平面电容传感器一侧电极的结构，使得该平面电极的一侧由平面结构改变为立体结构，当平面传电容传感器发生内弯或者外弯时，其电容值随弯折角度的变化曲线不再相同，因此通过两条不同的变化曲线就可以直接判断出平面电容传感器发生了内弯或者外弯。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 电容 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面电容传感器，其特征在于，包括第一平面电极、第二平面电极和介电层，所述第一平面电极与所述第二平面电极相对设置，且所述介电层位于所述第一平面电极与所述第二平面电极之间；/n其中，所述介电层在朝向所述第一平面电极的表面设置有凸起部，所述第一平面电极在朝向所述介电层的表面设置有凹陷部，所述凸起部嵌入所述凹陷部内。/n
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