[发明专利]一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件有效
| 申请号： | 201910859024.5 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110726959B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 郜壮壮;于长秋;周铁军;温嘉红;李海 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件。本发明从上到下依次为导电层、绝缘层、薄膜层、缓冲层，所述导电层用于接入控制电压，从而调控薄膜层垂直各向异性的大小，来调节磁性传感器件的灵敏度；其中薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，所述的薄膜层由CoFeB和MgO构成，当沿垂直于传感器件厚度方向通入的控制电压Us为一固定值时，传感器件横向两电极通入恒定电流I，检测来自于和电流方向一致的外部磁场H，而传感器件纵向两电极用于采集随外部磁场变化的电压，从而实现对外部磁场的检测。本发明可以灵活选择量程范围，准确测量外部磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反常 霍尔 效应 灵敏度 调节 磁场 传感 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件，其特征在于，该磁场传感器件具有多层膜结构，结构为：从上到下依次为导电层、绝缘层、薄膜层、缓冲层，所述导电层用于接入控制电压，从而调控薄膜层垂直各向异性的大小，来调节磁性传感器件的灵敏度；其中薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，所述的薄膜层由CoFeB和MgO构成，CoFeB的厚度为1.1-1.5nm，MgO的厚度为2-3nm。/n
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