[发明专利]一种晶硅高效光伏电池结构在审
| 申请号： | 201910859173.1 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110473922A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 余伟 | 申请（专利权）人： | 南京爱通智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 32285 南京先科专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙甫臣<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶硅高效光伏电池结构，包括硅基体，在硅基体的上表面（受光面）自下而上依次包括隧穿介质层或本征硅层、功能层、光学层及电极；所述功能层为高透光率的半导体层，所述功能层的电阻率比硅基体的电阻率低1‑6个数量级，所述功能层的厚度为5‑200nm。本发明能够有效提高光伏电池的电流输出能力。 | ||
| 搜索关键词： | 功能层 硅基体 光伏电池 电阻率 电流输出能力 隧穿介质层 半导体层 本征硅层 高透光率 个数量级 光学层 上表面 受光面 电极 种晶 | ||
【主权项】：
1.一种晶硅高效光伏电池结构，包括硅基体，其特征在于，在硅基体的上表面（受光面）自下而上依次包括隧穿介质层或本征硅层、功能层、光学层及电极；所述功能层为高透光率的半导体层，所述功能层的电阻率比硅基体的电阻率低1-6个数量级，所述功能层的厚度为5-200nm。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
