[发明专利]MRAM-NAND控制器及内存条有效
| 申请号： | 201910859950.2 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112486401B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F1/18 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种MRAM‑NAND控制器及内存条。控制器包括嵌入式MRAM、采用DDR‑DRAM接口标准的主机接口、NAND控制器、微控制器与网络接口。由于MRAM‑NAND控制器的主机接口，采用DDR‑DRAM接口，有助提高控制器及其应用的内存条的读写速度。通过网络接口，多个由控制器与存储单元封装而成的控制芯片可联合操作，有助提升存储的带宽。微控制器结合存储单元配置于内存条，实现靠近数据进行处理的原则，更能进一步节省电能。 | ||
| 搜索关键词： | mram nand 控制器 内存条 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910859950.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
