[发明专利]一种晶体生长装置在审
| 申请号： | 201910860777.8 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110592661A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;王刚 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；导流套筒，所述导流套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间；辅助结构，所述导流套筒与所述辅助结构连接，以将所述加热器的顶部和侧面包围。根据本发明提供的晶体生长装置，通过在加热器与坩埚之间设置导流套筒，且导流套筒与辅助结构可以连接组合以将所述加热器的顶部和侧面包围，避免了SiO蒸气对加热器表面的侵蚀，延长了加热器的使用寿命，提高了晶体生长品质的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 加热器 导流套筒 坩埚 辅助结构 晶体生长装置 晶体生长 加热器表面 包围 连接组合 使用寿命 侧面 配置 熔体 加热 盛装 侵蚀 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：/n坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；/n加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；/n导流套筒，所述导流套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间；/n辅助结构，所述导流套筒与所述辅助结构连接，以将所述加热器的顶部和侧面包围。/n
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