[发明专利]一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片及电池的方法在审
| 申请号： | 201910862475.4 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110752274A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 上官泉元;庄正军 | 申请（专利权）人： | 常州比太科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0747;C23C14/04 |
| 代理公司： | 11578 北京集智东方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 213164 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，包括如下工艺步骤：1)首先根据镀膜尺寸设计对应尺寸的N区镀膜阴罩及P区镀膜阴罩；2)镀膜前，将硅片放置在镀膜阴罩内定位好以遮挡P区或N区；3)采用PVD镀膜工艺在硅片上形成N膜或P膜；4)再将硅片在镀膜阴罩内定位好以遮挡N区或P区；5)再采用PVD镀膜工艺在硅片上形成P膜或N膜。该发明用PVD镀膜结合阴罩掩膜的方法在硅片背面分别单独形成P膜及N膜，从而有效避免了现有技术使用的掩膜刻蚀方法存在的工艺流程长效率低且由于刻蚀污染薄层性能而影响电池性能的不足，具有工艺步骤短、生产成本低的优点，且有效提升了转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 阴罩 硅片 掩膜 工艺步骤 刻蚀 遮挡 影响电池性能 生产成本低 尺寸设计 单独形成 硅片背面 硅片放置 技术使用 转换效率 工艺流程 电池片 薄层 污染 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用阴罩掩膜镀膜制造HBC电池片的方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：/n1)首先根据镀膜尺寸设计对应尺寸的N区镀膜阴罩(20)及P区镀膜阴罩(30)；/n2)镀膜前，将硅片(10)放置在N区镀膜阴罩(20)内定位好以遮挡P区；/n3)基于磷掺杂的硅靶材(22)并采用PVD镀膜工艺将硅片(10)上的N区镀膜以形成N膜(15)；/n4)再将N区镀膜后的硅片(10)从N区镀膜阴罩(20)内取出放置在P区镀膜阴罩(30)内定位好以遮挡N区；/n5)基于硼掺杂的硅靶材(32)并采用PVD镀膜工艺将硅片(10)上的P区镀膜以形成P膜(14)。/n
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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