[发明专利]一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备在审
申请号: | 201910862647.8 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN110643977A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 上官泉元;庄正军 | 申请(专利权)人: | 常州比太科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/54;C23C16/24;C23C16/40;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/56 |
代理公司: | 11578 北京集智东方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吴倩 |
地址: | 213164 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备,包括链式循环运行的载板,以及依次设置的机械手上料台、本征非晶硅镀膜体系、水平移载台一、N层非晶硅镀膜体系、翻转移载台、P层非晶硅镀膜体系、水平移载台二、TCO镀膜体系及机械手下料台,以及用于载板回传的载板回传循环系统一、载板回传循环系统二、载板回传循环系统三及载板回传循环系统四。该发明通过设备整合将上下各两层非晶硅的PECVD镀膜工艺和上下各一层TCO膜的PVD镀膜工艺集成到一台设备里,可以一次性完成HIT电池的6层膜的镀膜,具有产能高、设备占地面积小、设备制造成本低、自动化程度高等优点。 | ||
搜索关键词: | 载板 镀膜 回传 循环系统 非晶硅 载台 水平移 料台 整合 电池 设备制造成本 本征非晶硅 一次性完成 工艺集成 链式循环 通过设备 依次设置 产能 两层 自动化 制造 | ||
【主权项】:
1.一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备,其特征在于,包括链式循环运行的载板(230),以及依次设置的用于硅片的机械手上料台(100)、用于硅片正反面镀膜的本征非晶硅镀膜体系(110)、用于硅片的水平移载台一(120)、N层非晶硅镀膜体系(130)、用于硅片的翻转移载台(140)、P层非晶硅镀膜体系(150)、用于硅片的水平移载台二(160)、TCO镀膜体系(170)及用于硅片的机械手下料台(180);所述载板(230)包括用于本征非晶硅镀膜体系(110)的载板、用于N层非晶硅镀膜体系(130)的载板、用于P层非晶硅镀膜体系(150)的载板以及用于TCO镀膜体系(170)的载板;/n所述机械手上料台(100)与水平移载台一(120)之间设置有载板回传循环系统一(190),所述载板回传循环系统一(190)位于所述本征非晶硅镀膜体系(110)的下方或侧边;/n所述水平移载台一(120)与翻转移载台(140)之间设置有载板回传循环系统二(200),所述载板回传循环系统二(200)位于所述N层非晶硅镀膜体系(130)的下方或侧边;/n所述翻转移载台(140)与水平移载台二(160)之间设置有载板回传循环系统三(210),所述载板回传循环系统三(210)位于所述P层非晶硅镀膜体系(150)的下方或侧边;/n所述水平移载台二(160)与机械手下料台(180)之间设置有载板回传循环系统四(220),所述载板回传循环系统四(220)位于所述TCO镀膜体系(170)的下方或侧边。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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