[发明专利]一种恩诺沙星限进表面分子印迹材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910863081.0 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN112473633B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 龚波林;孙治安 | 申请（专利权）人： | 北方民族大学 |
| 主分类号： | B01J20/26 | 分类号： | B01J20/26;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/38;C02F101/36;C02F101/34 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王术娜 |
| 地址： | 750021 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种恩诺沙星限进表面分子印迹材料及其制备方法和应用，属于高分子材料制备领域。本发明提供的恩诺沙星限进表面分子印迹材料为核壳结构，以PGMA/EDMA‑MPS微球作为核，以ENRO分子印迹层作为壳。本发明制得的ENRO‑RAMIPs具有高亲水性，吸附ENRO速度快，选择性高，回收率高，经反相高效液相色谱法检测，本发明制得的ENRO‑RAMIPs回收率高达98.5％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恩诺沙星限进 表面 分子 印迹 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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