[发明专利]一种双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法有效
| 申请号： | 201910863980.0 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110634760B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 卢峰;王恩博;高晶 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 向彬 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法。包括刻蚀出辅助沟道孔结构；其中，所述辅助沟道孔的深度与上堆叠结构中的堆叠结构厚度偏差在预设范围内；通过所述辅助沟道孔结构，刻蚀掉位于下堆叠结构以上的上堆叠结构，露出可供检测的下沟道结构中的存储膜；其中，所述下沟道结构位于所述下堆叠结构中；以及检测所述下沟道结构中的存储膜的侧壁轮廓。本发明选择了影响沟道孔侧壁结构完整性的关键步骤，并设计了一套不仅能够去除上沟道结构，露出可供检测的下沟道结构中的存储膜，而且，还能够保持整个过程不至于破坏下沟道结构中的存储膜，使得在双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤成为了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 结构 检测 沟道 侧壁 刻蚀 损伤 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，包括：/n刻蚀出辅助沟道孔结构；其中，所述辅助沟道孔的深度与上堆叠结构中的堆叠结构厚度偏差在预设范围内；/n通过所述辅助沟道孔结构，刻蚀掉位于下堆叠结构以上的上堆叠结构，露出可供检测的下沟道结构中的存储膜；其中，所述下沟道结构位于所述下堆叠结构中；以及/n检测所述下沟道结构中的存储膜的侧壁轮廓。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
