[发明专利]一种致密五氧化二钽薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910864226.9 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110468378A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 任卫;杨光道;张永超;朱楠楠;杜淑菊;杨朝宁;杨炎翰;李璐;王勇刚;姚国光;商世广 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学;陕西师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 50231 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 竺栋<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 710121 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种致密五氧化二钽薄膜的制备方法，在高真空下，通过e型电子枪加速从钨丝发射的电子聚焦到铜坩埚中的五氧化二钽颗粒上，将其气化，在硅基片上沉积生长出五氧化二钽薄膜，最后对其进行不同温度的退火处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相比于磁控溅射法，所得薄膜结晶度高、空隙率和孔洞少、稳定性好，相对于阳极氧化法成膜速率快、效率高，具备商业量产的能力，为以后制备出致密五氧化二钽薄膜提供了支持。 | ||
| 搜索关键词： | 五氧化二钽薄膜 制备 致密 孔洞 钨丝 形貌 磁控溅射法 五氧化二钽 阳极氧化法 薄膜材料 薄膜结晶 电子聚焦 退火处理 高真空 硅基片 空隙率 铜坩埚 成膜 量产 气化 沉积 光滑 发射 生长 | ||
【主权项】：
1.一种致密五氧化二钽薄膜的制备方法，其特征在于：在真空条件下，以高能电子束对五氧化二钽颗粒进行加热处理，在硅基片上沉积五氧化二钽薄膜，最后在300~900℃的空气气氛中进行退火处理，得到结晶度改善的五氧化二钽薄膜。/n
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