[发明专利]基于高电子迁移率晶体管的太赫兹波放大器有效
| 申请号： | 201910864804.9 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110600972B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 潘依林;张平;宫玉彬;王战亮;陈亚鸣;师凝洁 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平;陈靓靓 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于高电子迁移率晶体管的太赫兹波放大器，包括电子发射极、电了收集极和两个高电子迁移率晶体管，电子发射极用于发射电子注，电子收集极用于收集发射极发射的电子注，两个高电子迁移率晶体管用于形成电磁波辐射通道，电子注通过电磁波辐射通道，根据注波互作用原理，电子将所携带的能量交给太赫兹波从而实现太赫兹波信号的放大。本发明基于具有周期金属栅极结构的高电子迁移率晶体管，实现一种结构简单、加工方便、紧凑型、室温型的太赫兹波放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电子 迁移率 晶体管 赫兹 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种基于高电子迁移率晶体管的太赫兹波放大器，包括用于发射电子注的电子发射极、用于收集电子注的电子收集极和用于形成电磁波辐射通道的两个高电子迁移率晶体管，电子发射极和电子接收极处于正对位置，位于电磁波辐射通道的两端，其特征在于，每个高电子迁移率晶体管的栅极为周期金属栅极结构。/n
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