[发明专利]一种钨硅靶材的制备方法在审
申请号: | 201910864942.7 | 申请日: | 2019-09-09 |
公开(公告)号: | CN110714185A | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 李保强;祁美贵;刘文迪;李斌玲;郑艾龙;黄志民 | 申请(专利权)人: | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人: | 连耀忠;杨锴 |
地址: | 361000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种钨硅靶材的制备方法,以纯度≥6N的多晶硅粒代替硅粉为原料进行钨硅靶材的制备,克服了硅粉纯度偏低、高纯度硅粉成本高的问题;并且,基于多晶硅粒的纯度更容易得到保证的情况,原料更易获取,不仅能够保证制备的钨硅靶材的纯度,还能够降低生产成本。由于硅材料相对于钨材料更容易破碎,本发明以多晶硅粒为原料直接和钨粉进行混合破碎,在对多晶硅粒进行破碎的同时,可与钨粉进行充分混合,进而通过一个步骤即可得到钨硅混合料,提高生产效率。由于多晶硅粒的破碎与钨硅粉体的制备在一台设备(球磨机)上连续进行,避免了因工艺流程过长而对材料造成的污染,有助于保证材料的纯度;同时降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 多晶硅 钨硅 制备 破碎 靶材 硅粉 钨粉 球磨机 充分混合 高纯度硅 生产效率 工艺流程 硅材料 混合料 钨材料 保证 粉体 生产成本 污染 | ||
【主权项】:
1.一种钨硅靶材的制备方法,其特征在于,步骤如下:/n1)按多晶硅粒质量分数23.41-37.93wt.%的比例称取钨粉和多晶硅粒;钨粉的费氏平均粒度为1-10μm、纯度≥5N,多晶硅粒的粒度为1-10mm、纯度≥6N;/n2)将步骤1)的钨粉和多晶硅粒置于球磨罐中,以50-70rpm的转速、24-48h的球磨时间,对多晶硅粒进行破碎,同时使两种物料混合均匀;/n3)转速提高至200-300rpm,以30-100h的球磨时间进行球磨,得到钨硅粉体;/n4)将步骤3)得到的钨硅粉体经冷压、真空热压烧结、机械加工,得到钨硅靶材。/n
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