[发明专利]二维层的转移有效
| 申请号： | 201910865027.X | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110896054B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | S·布雷姆斯;C·胡耶巴尔特;K·维古斯 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;陈哲锋 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使膜与基材层离的方法。该方法包括：提供(210)第一材料的基材(101)，在其顶部上具有第二材料的膜(102)；使用粘合剂(106)将膜(102)粘合到载体(108)；将超临界流体引入膜(102)和基材(101)之间，其中，超临界流体的临界温度低于粘合剂(106)玻璃化转变温度；从膜(102)上机械剥离基材(101)。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 转移 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
