[发明专利]一种利用射频辉光放电光谱仪检测钨中氘含量分布的方法有效
| 申请号： | 201910865096.0 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110531403B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;乔丽;柴利强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | G01T1/167 | 分类号： | G01T1/167;G01B11/24 |
| 代理公司： | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用射频辉光放电光谱仪检测钨中氘含量分布的方法，是先通过物理气相沉积方法制备含氘金属薄膜材料作为标准样品，再采用卢瑟福背散射光谱与热脱附质谱法分别检测标准样品中金属与氘的含量，然后在射频辉光放电光谱仪上使用标准样品将检测氘的电信号曲线转换为氘含量信息，同时采用白光干涉三维轮廓测试仪对标准样品进行射频辉光放电光谱溅射深度与测试时长关系的标定用以确定射频辉光放电光谱仪检测氘在样品中的深度信息；最后使用射频辉光放电光谱法检测经过氘等离子体辐照的钨块进行该方法的验证。该方法特别适用于为托卡马克装置用面对等离子体部件提供低含量氢同位素测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 射频 辉光 放电 光谱仪 检测 钨中氘 含量 分布 方法 | ||
【主权项】：
1.利用射频辉光放电光谱仪检测钨中氘含量分布的方法，其特征在于：先通过物理气相沉积法在单晶硅基材上直接沉积一层含氘的钨薄膜；再采用卢瑟福背散射光谱检测薄膜中金属原子含量，采用热脱附质谱法检测标准样品中氘的总含量；基于上述测定的薄膜样品中金属和氘含量数据，在射频辉光放电光谱仪上进行氘电信号与氘含量关系的标定，然后采用白光干涉三维轮廓测试仪分析得到溅射深度与测试时长关系，从而对射频辉光放电光谱仪测试标准样品的深度进行标定，最终得到射频辉光放电光谱测试出的氘浓度在样品深度方向上的分布曲线。/n
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