[发明专利]阴极材料及制备方法、等离子体炬阴极及制备方法在审
申请号: | 201910865823.3 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN112481538A | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 齐会龙;聂革;刘敏胜;耿金峰;何延如;高志开;曹聪帅;姜恒;房娟;王志辛 | 申请(专利权)人: | 新奥科技发展有限公司 |
主分类号: | C22C27/00 | 分类号: | C22C27/00;C22C32/00;C22C1/05;B22F3/105;B22F3/14;H05H1/34 |
代理公司: | 北京工信联合知识产权代理有限公司 11266 | 代理人: | 芦玲玲 |
地址: | 065001 河北省廊坊市经*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明涉及一种阴极材料,该阴极材料包括原料铪和稀土氧化物,其中,稀土氧化物的质量小于原料铪和稀土氧化物总质量的35%。该阴极材料是一种稀土氧化物复合铪阴极,可用于制作电子元器件的阴极,例如制作等离子体炬的阴极,以及磁控管的阴极。由于稀土氧化物的电子逸出功低,当其均匀的分布在铪基体材料中时,在该阴极材料制作的等离子体炬阴极运行过程中,稀土氧化物中原子向阴极材料表面扩散迁移,使电子更容易发射出;同时,在电场和热的双重作用下,达到稳定等离子电弧的作用,减少了阴极材料的局部过快烧蚀,实现阴极寿命的提升。本发明还公开一种阴极材料制备方法,以及一种等离子体炬阴极及制备方法。 | ||
搜索关键词: | 阴极 材料 制备 方法 等离子体 | ||
【主权项】:
暂无信息
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