[发明专利]外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法有效
| 申请号： | 201910866932.7 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110610838B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;陆菲菲;田健;张杨星月 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 唐代盛 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极，包括银环氧树脂电极、柔性聚甲基丙烯酸甲酯层，高度对齐的p型GaN纳米线阵列和透明氧化铟锡电极；柔性聚甲基丙烯酸甲酯层设置于银环氧树脂电极和透明氧化铟锡电极之间，且柔性聚甲基丙烯酸甲酯层内部真空，p型GaN纳米线阵列设置于柔性聚甲基丙烯酸甲酯层内，p型GaN纳米线阵列外部设置Cs/O激活层，透明氧化铟锡电极和p型GaN纳米线阵列顶部接触，形成肖特基结，透明氧化铟锡电极和银环氧树脂电极之间的偏置电压引入外部场，控制偏置电压的大小和方向改变场强。 | ||
| 搜索关键词： | 外加 电场 辅助 gan 纳米 阵列 光电 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极，其特征在于，包括银环氧树脂电极(1)、柔性聚甲基丙烯酸甲酯层(2)，高度对齐的p型GaN纳米线阵列(3)和透明氧化铟锡电极(4)；其中/n柔性聚甲基丙烯酸甲酯层(2)设置于银环氧树脂电极(1)和透明氧化铟锡电极(4)之间，且柔性聚甲基丙烯酸甲酯层(2)内部真空，/np型GaN纳米线阵列(3)设置于柔性聚甲基丙烯酸甲酯层(2)内，/np型GaN纳米线阵列(3)外部设置Cs/O激活层(5)，/n透明氧化铟锡电极(4)和p型GaN纳米线阵列(3)顶部接触，形成肖特基结，/n透明氧化铟锡电极(4)和银环氧树脂电极(1)之间的偏置电压引入外部场，控制偏置电压的大小和方向改变场强。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910866932.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大型计算机供电保护设备
- 下一篇：片上微型热电子源及其制作方法
