[发明专利]显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备有效
| 申请号： | 201910867034.3 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN110600486B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 津野仁志 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备。一种根据本公开的显示装置，包括：在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管。具有顶栅结构的薄膜晶体管的栅极电极与布线层设置在同一层中。在根据本公开的制造显示装置的方法中，在制造包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管和具有顶栅结构的薄膜晶体管的显示装置时，具有顶栅结构的薄膜晶体管的栅极电极与布线层形成在同一层中。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，包括：/n在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管，/n其中，所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极与布线层设置在同一层中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
