[发明专利]一种易解理半导体晶体的加工方法有效

专利信息
申请号: 201910867396.2 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN110640552B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 高尚;康仁科;董志刚;何宜伟;朱祥龙;李洪钢 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B19/22;B24B41/06
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 唐楠;李洪福
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种易解理半导体晶体的加工方法,该方法采用控制磨削力和工件旋转法对易解理的氧化镓晶片进行磨削加工,步骤为将氧化镓晶片固定在工作台上,其下设有力传感器;分别采用粗、细粒度的金刚石砂轮对氧化镓晶片进行粗磨削和精磨削;分别设定粗磨削和精磨削时的初始进给速度、进给量、最大磨削力F和F,并且在粗、精磨削过程中分别保证磨削力在F±0.1N、F±0.1N的范围内。数据处理器实时采集力传感器测得的磨削力信号,并放大处理输送给负反馈系统,负反馈系统对进给速度实时控制以实现磨削力小于氧化镓解理应力阈值。此方案解决了氧化镓机械加工中易出现的解离现象,实现了高成品率。
搜索关键词: 一种 解理 半导体 晶体 加工 方法
【主权项】:
1.一种易解理半导体晶体的加工方法,其特征在于具有如下步骤:/nS1、将氧化镓晶片固定在工作台上,其下设有力传感器;/nS2、启动粗粒度金刚石砂轮和工作台旋转;/nS3、将粗粒度金刚石砂轮进给至氧化镓晶片上方,直至力传感器出现示值后停止进给,设定粗磨削的初始进给速度,最大磨削力F
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