[发明专利]隔离结构制造方法有效
| 申请号： | 201910867622.7 | 申请日： | 2019-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN112509971B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王昊;陈洪雷;夏志平;姚国亮;陈伟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种隔离结构制造方法。该制造方法包括采用第一光刻胶掩膜，在衬底上的第一区域和第二区域中形成有源区，第一区域和第二区域彼此相邻；采用第二光刻胶掩膜遮挡衬底第二区域，在衬底第一区域中形成第一掺杂类型的第一阱区；采用第二光刻胶掩膜遮挡衬底第二区域，并采用有源区作为硬掩膜，在第一掺杂类型的第一阱区的部分表面形成第一掺杂类型的补偿区，之后去除第二光刻胶掩膜；采用有源区作为硬掩膜，沿第一区域与第二区域之间的衬底表面向下延伸以形成隔离结构，补偿区与至少部分隔离结构接触。本发明采用了同一光刻胶掩膜分别形成第一阱区和补偿区，在不影响半导体器件性能的基础上，无需附加掩膜和光刻步骤，增强了隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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