[发明专利]衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201910869816.0 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN111383949A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 金敬勋;文丁一;李衡周;宣钟宇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法。所述衬底处理模块，包括：处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；传送腔室，其设置在所述处理腔室的第一侧上，其中，所述衬底在所述处理腔室和所述传送腔室之间被传送；光学发射光谱(OES)系统，其设置在所述处理腔室的第二侧上，并被配置为监视所述处理腔室；和参考光源，其设置在所述传送腔室中，并被配置为发射参考光以对所述OES系统进行校准。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 设备 模块 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
