[发明专利]竖直存储器装置

摘要

竖直存储器装置包括具有单元阵列区域和围绕单元阵列区域的阶梯区域的衬底、位于单元阵列区域和阶梯区域上的栅电极、以及位于单元阵列区域上的沟道。栅电极在第一方向和第三方向上彼此隔离开并且各自在第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过一个或更多个栅电极。多个栅电极中的第一栅电极在第二方向上的端部限定衬底的阶梯区域上的第二方向上的第一台阶和第三方向上的第二台阶，各第二台阶分别与相同水平高度处的各第一台阶连接。