[发明专利]一种锑基太阳能电池用空穴传输层及其制备方法以及应用有效
| 申请号： | 201910870743.7 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110556447B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋立峰;韩文豪;陈涛;朱长飞;江国顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 任美玲 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锑基太阳能电池用空穴传输层，为二氧化硒薄膜。本发明提供的空穴传输层原料具有获取简单，价格低廉的优势。相较于现在通用的以2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴(Spiro‑OMeTAD)为代表的小分子空穴传输层具有水热稳定的特点。该空穴传输层制备所使用溶剂毒性低，价格低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 空穴 传输 及其 制备 方法 以及 应用 | ||
【主权项】：
1.一种锑基太阳能电池用空穴传输层，其特征在于，为二氧化硒薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
