[发明专利]集成电路装置的形成方法在审

专利信息
申请号: 201910870889.1 申请日: 2019-09-16
公开(公告)号: CN110957271A 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 蔡宗裔;李宗霖;陈燕铭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L21/762;H01L29/10
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 于磊;陈曦
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 公开了包括不同型态的鳍状场效晶体管所用的隔离衬垫层的集成电路装置与相关的制作方法。例示性的方法包括在基板上进行鳍状物蚀刻制程,以形成多个第一沟槽以定义第一区中的多个第一鳍状物,以及多个第二沟槽以定义第二区中的多个第二鳍状物。形成氧化物衬垫层于第一区中的第一鳍状物与第二区中的第二鳍状物上。形成氮化物衬垫层于第一区与第二区中的氧化物衬垫层上。在自第一区移除氮化物衬垫层之后,形成隔离材料于氧化物衬垫层与氮化物衬垫层上,以填入第一沟槽与第二沟槽中。使隔离材料、氧化物衬垫层、与氮化物衬垫层凹陷,以形成第一隔离结构(隔离材料与氧化物衬垫层)与第二隔离结构(隔离材料、氮化物衬垫层、与氧化物衬垫层)。
搜索关键词: 集成电路 装置 形成 方法
【主权项】:
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