[发明专利]一种底部填充胶的填充方法有效
申请号: | 201910871497.7 | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN110729205B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 陈立军;徐友志;曹立强 | 申请(专利权)人: | 上海先方半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李静 |
地址: | 200131 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于半导体封装技术领域,具体涉及一种底部填充胶的填充方法。该方法包括向底部填充胶中加入磁性材料,形成复合填充胶;在填充过程中,外加磁场带动磁性材料并进而带动所述复合填充胶完成填充过程;该方法通过外加磁场带动磁性材料,能够给予底部填充胶持续的吸引力,使底部填充胶的运动速度大大增加,减少了大尺寸芯片不完全填充的问题,大大缩短了填充时间,提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 底部 填充 方法 | ||
【主权项】:
1.一种底部填充胶的填充方法,其特征在于,包括,/n向底部填充胶中加入磁性材料,形成复合填充胶;/n在填充过程中,外加磁场带动磁性材料并进而带动所述复合填充胶完成填充过程。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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