[发明专利]能提高运算放大器性能的差分输入结构在审
申请号: | 201910873176.0 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110492852A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 张明;马学龙;焦炜杰;杨金权;王新安;汪波;石方敏 | 申请(专利权)人: | 江苏润石科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/30;H03F1/26;H03F3/45 |
代理公司: | 32369 无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 张涛<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 214125 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种能提高运算放大器性能的差分输入结构,其包括主体部、辅助部以及电压传输管组,主体部内主体差分对管内的MOS管均采用薄栅氧MOS管,辅助部内的辅助差分对管内的MOS管均采用厚栅氧MOS管,辅助第一厚栅氧MOS管的栅极端接收输入信号VP+,辅助第二厚栅氧MOS管的栅极端接收输入信号VN‑,利用辅助第一厚栅氧MOS管、辅助第二厚栅氧MOS管避免输入信号VP+、输入信号VN‑之间的差值较大引起差分对管VGS较大导致MOS管的损坏,主体差分对管采用薄栅氧MOS管时,能确保运算放大器的性能,通过电压传输管组进行电压传输后,能确保使得主体第一薄栅氧MOS管的栅端电压与主体第二薄栅氧MOS管的栅端电压的差值保持稳定,安全可靠。 | ||
搜索关键词: | 厚栅氧 差分对管 薄栅氧 电压传输 接收输入信号 运算放大器 栅端电压 辅助部 栅极端 主体部 管组 输入结构 内主体 | ||
【主权项】:
1.一种能提高运算放大器性能的差分输入结构,包括主体部,所述主体部包括主体差分对管以及与所述主体差分对管适配连接的主体部电流镜,主体差分对管内的MOS管均为薄栅氧MOS管,主体差分对管包括主体第一薄栅氧MOS管以及与所述主体第一薄栅氧MOS管适配的主体第二薄栅氧MOS管;其特征是:/n还包括与主体部适配连接的辅助部,所述辅助部包括辅助差分对管以及与所述辅助差分对管适配连接的辅助部电流镜,辅助差分对管内的MOS管均为厚栅氧MOS管,辅助差分对管包括辅助第一厚栅氧MOS管以及与所述辅助第一厚栅氧MOS管适配的辅助第二厚栅氧MOS管,辅助第一厚栅氧MOS管、辅助第二厚栅氧MOS管的导电沟道类型与主体第一薄栅氧MOS管、主体第二薄栅氧MOS管的导电沟道类型相一致;/n还包括用于连接辅助部与主体部的电压传输管组,所述电压传输管组包括电压传输第一MOS管以及电压传输第二MOS管,辅助第一厚栅氧MOS管的栅极端通过电压传输第一MOS管与主体第二薄栅氧MOS管的栅极端连接,辅助第二厚栅氧MOS管的栅极端通过电压传输第二MOS管与主体第一薄栅氧MOS管的栅极端连接,电压传输第一MOS管的栅极端、电压传输第二MOS管的栅极端与辅助第一厚栅氧MOS管的源极端、辅助第二厚栅氧MOS管的源极端相互连接;/n辅助第一厚栅氧MOS管的栅极端接收输入信号VP+,辅助第二厚栅氧MOS管的栅极端接收输入信号VN-,电压传输第一MOS管的栅端电压、电压传输第二MOS管的栅端电压能跟随输入信号VP+或输入信号VN-,经过电压传输第一MOS管、电压传输第二MOS管进行电压传输后,能使得主体第一薄栅氧MOS管的栅端电压与主体第二薄栅氧MOS管的栅端电压的差值保持稳定。/n
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