[发明专利]传感器装置有效

专利信息
申请号: 201910873433.0 申请日: 2015-09-30
公开(公告)号: CN110470731B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 小林京平 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: G01N29/02 分类号: G01N29/02;G01N29/22;G01N29/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 柯瑞京
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种能够以良好的高灵敏度来测定检体的传感器装置。传感器装置(100),具备:元件基板(10a);检测部(10b),具有位于元件基板(10a)的上表面的反应部(13)、第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12),所述反应部(13)具有固定化膜(13a)并进行检体的检测,所述第一IDT电极(11)产生朝向反应部(13)传播的弹性波,所述第二IDT电极(12)接收通过了反应部(13)的弹性波;以及保护膜(28),覆盖第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12),在元件基板(10a)中,与第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)所位于的区域相比,反应部(13)所位于的区域更低。
搜索关键词: 传感器 装置
【主权项】:
1.一种传感器装置,具备:/n元件基板;/n检测部,具有位于所述元件基板的上表面的反应部、第一IDT电极以及第二IDT电极,所述反应部具有固定化膜且进行被检测物的检测,所述第一IDT电极产生朝向所述反应部传播的弹性波,所述第二IDT电极接收通过了所述反应部的所述弹性波;以及/n保护膜,覆盖所述第一IDT电极和所述第二IDT电极,/n在所述元件基板的上表面,与所述第一IDT电极和所述第二IDT电极所位于的区域相比,所述反应部所位于的区域更低。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910873433.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top