[发明专利]传感器装置有效
申请号: | 201910873433.0 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN110470731B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 小林京平 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | G01N29/02 | 分类号: | G01N29/02;G01N29/22;G01N29/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柯瑞京 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种能够以良好的高灵敏度来测定检体的传感器装置。传感器装置(100),具备:元件基板(10a);检测部(10b),具有位于元件基板(10a)的上表面的反应部(13)、第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12),所述反应部(13)具有固定化膜(13a)并进行检体的检测,所述第一IDT电极(11)产生朝向反应部(13)传播的弹性波,所述第二IDT电极(12)接收通过了反应部(13)的弹性波;以及保护膜(28),覆盖第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12),在元件基板(10a)中,与第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)所位于的区域相比,反应部(13)所位于的区域更低。 | ||
搜索关键词: | 传感器 装置 | ||
【主权项】:
1.一种传感器装置,具备:/n元件基板;/n检测部,具有位于所述元件基板的上表面的反应部、第一IDT电极以及第二IDT电极,所述反应部具有固定化膜且进行被检测物的检测,所述第一IDT电极产生朝向所述反应部传播的弹性波,所述第二IDT电极接收通过了所述反应部的所述弹性波;以及/n保护膜,覆盖所述第一IDT电极和所述第二IDT电极,/n在所述元件基板的上表面,与所述第一IDT电极和所述第二IDT电极所位于的区域相比,所述反应部所位于的区域更低。/n
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