[发明专利]芯片的衬底的多次使用方法及红外探测器有效
| 申请号： | 201910874982.X | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110676205B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李春领;谭振 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L31/0392;H01L31/09 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种芯片的衬底的多次使用方法及红外探测器，芯片的衬底的多次使用方法包括：在衬底上进行薄膜层的生长制备；将衬底的部分与薄膜层分离，得到分离后的衬底余材；其中，衬底余材可再进行至少一次薄膜层的生长制备。根据本发明的芯片的衬底的多次使用方法，在制备芯片时，衬底的部分与薄膜层分离后，衬底余材仍可再进行多次芯片加工，从而可有效降低衬底的材料浪费，降低了生产成本。而且，有效提高了芯片的加工效率，提高了芯片加工的便利性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 衬底 多次 使用方法 红外探测器 | ||
【主权项】：
1.一种芯片的衬底的多次使用方法，其特征在于，包括：/n在所述衬底上进行薄膜层的生长制备；/n将所述衬底的部分与所述薄膜层分离，得到分离后的衬底余材；/n其中，所述衬底余材可再进行至少一次所述薄膜层的生长制备。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
