[发明专利]一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910875909.4 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110571122B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 许开东;李娜;胡冬冬;侯永刚;程实然;刘海洋;蒋中原;陈璐 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 李想 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法，属于半导体刻蚀技术领域。采用双离子源的IBE刻蚀机，刻蚀机包括刻蚀腔室及安装在刻蚀腔室上的离子源；蚀刻腔室内设有用于放置晶圆的样品台刻蚀腔室分别布置两个离子源；当离子源进行纵向去除或侧墙清理或纵向去除与侧墙清理同时进行时，两个离子源发射出的离子束与样品台的晶圆中心轴线始终保持一定角度。本发明提供的采用双离子源的IBE刻蚀机在不增加复杂的样品台翻转机构，提高了刻蚀效率。并且采用了两个离子源进行蚀刻，取消掉原样品台的倾斜及使用两个离子源，因此节省了样品台倾斜及能量切换的工艺时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 离子源 ibe 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用双离子源的IBE刻蚀机，刻蚀机包括刻蚀腔室及安装在刻蚀腔室上的离子源；蚀刻腔室内设有用于放置晶圆的样品台；其特征在于：所述的刻蚀腔室分别布置两个离子源；当离子源进行纵向去除或侧墙清理或纵向去除与侧墙清理同时进行时，两个离子源发射出的离子束与样品台的晶圆中心轴线始终保持一定角度。/n
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