[发明专利]NMOS晶体管及其形成方法、电荷泵电路有效
| 申请号： | 201910876179.X | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110676323B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 盖春赟;刘威 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336;H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种NMOS晶体管及其形成方法、电荷泵电路，所述NMOS晶体管，包括：在所述P型衬底中形成N型深阱；在所述N型深阱中形成P型阱区；在所述P型阱区部分表面上形成栅极结构；在所述述栅极结构两侧的P型阱区内形成N型源区和N型漏区；形成环绕所述P型阱区的N型阱区，且所述N型阱区一部分位于P型阱区外侧的N型深阱中，另一部分位于N型深阱外侧的P型衬底中；将所述栅极结构连接控制电压端，将所述N型漏区作为电压输入端，所述电压输入端连接输入电压，将所述N型源区与N型阱区连接在一起作为电压输出端。本发明的NMOS晶体管可以增大电压输出端的输出电压的大小。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 及其 形成 方法 电荷 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于电荷泵电路的NMOS晶体管，其特征在于，包括：/nP型衬底；/n位于所述P型衬底中的N型深阱；/n位于所述N型深阱中的P型阱区；/n位于所述P型阱区部分表面上的栅极结构；/n位于所述栅极结构两侧的P型阱区内的N型源区和N型漏区；/n环绕所述P型阱区的N型阱区，且所述N型阱区一部分位于P型阱区外侧的N型深阱中，另一部分位于N型深阱外侧的P型衬底中；/n所述栅极结构连接控制电压端，所述N型漏区作为电压输入端，所述电压输入端连接输入电压，所述N型源区与N型阱区连接在一起作为电压输出端。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910876179.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
