[发明专利]一种双波段光加密阻变存储器及其制备方法、写入方法和读取方法在审
| 申请号： | 201910876536.2 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110635029A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李岚;刘丁;徐建萍;刘巍嵩;杨鹏城;许江华 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 12229 天津合正知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马云云 |
| 地址： | 300302 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双波段光加密阻变存储器，所述阻变存储器包括：位于最底层的玻璃基底，位于所述玻璃基底上的FTO下电极，位于所述FTO下电极的表面上的AZO籽晶层，位于所述AZO籽晶层上的ZnO纳米棒阵列，位于所述ZnO纳米棒阵列上的PdS薄膜层，位于所述PdS薄膜层上的Al上电极；其中，所述PdS薄膜层和ZnO纳米棒阵列形成异质结结构，所述AZO籽晶层旋涂两层，并做退火处理。本发明所述的双波段光加密阻变存储器，能够在单电源和光电双控下工作，并且能够在不同波长的光照下实现不同的阻态，信息的写入和读取需要特定的光电条件，可以有效避免误操作现象的出现，同时达到信息加密的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 薄膜层 籽晶层 玻璃基 双波段 下电极 加密 读取 异质结结构 光电双控 退火处理 信息加密 单电源 误操作 最底层 电极 波长 两层 旋涂 阻态 光照 写入 | ||
【主权项】：
1.一种双波段光加密阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器包括：/n位于最底层的玻璃基底(1)，/n位于所述玻璃基底(1)上的FTO下电极(2)，/n位于所述FTO下电极(2)的表面上的AZO籽晶层(3)，/n位于所述AZO籽晶层(3)上的ZnO纳米棒阵列(4)，/n位于所述ZnO纳米棒阵列(4)上的PdS薄膜层(5)，/n位于所述PdS薄膜层(5)上的Al上电极(6)；/n其中，所述PdS薄膜层(5)和ZnO纳米棒阵列(4)形成异质结结构，/n所述AZO籽晶层(3)旋涂两层，并做退火处理。/n
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