[发明专利]基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法

摘要

本发明提供了一种基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，包括步骤1：对Cu(111)衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，以去除表面的杂质，得到洁净的Cu(111)衬底；步骤2：对Cu(111)衬底进行氧化处理，得到氧化层Cu2O(111)衬底；步骤3：以黑磷为前驱体，在Cu2O(111)衬底上用分子束外延的方法沉积磷原子，得到P/Cu2O(111)；步骤4：对P/Cu2O(111)进行升温以退火，得到大面积均匀单层蓝磷表面。本发明实现了规则蓝磷表面的大规模制备，制得的蓝磷表面无杂质污染，在电子和光电器件领域具有巨大的潜在应用价值，且制备过程简单，无有害物质产生，生产效率高，适合大规模推广。

主权项

1.基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，/n步骤1：对Cu(111)衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，以去除表面的杂质，得到洁净的Cu(111)衬底；/n步骤2：对Cu(111)衬底进行氧化处理，得到氧化层Cu