[发明专利]高频声波谐振器及其制备方法有效
申请号: | 201910876649.2 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110572135B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 欧欣;周鸿燕;张师斌;李忠旭;黄凯;赵晓蒙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H03H3/10 | 分类号: | H03H3/10;H03H9/64 |
代理公司: | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人: | 钱文斌 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种基于极低声阻部件的高频声波谐振器及其制备方法,高频声波谐振器的制备方法包括如下步骤:1)制备极低声阻部件;2)于所述极低声阻部件的上表面上形成压电膜;3)于所述压电膜的上表面形成图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法,通过在压电膜下设置极低声阻部件,增大压电膜与其下方的极低声阻部件的阻抗差,可有效激发高声速弹性波(如S0波),在加强对其界面反射的同时并将其机械能有效约束在压电膜中,从而在提高声表面波谐振器频率的同时,使其保持较高的Q值;避免了高频声表面波谐振器所激发的高声速弹性波大量向衬底泄露而导致的器件性能严重退化的问题的发生。 | ||
搜索关键词: | 高频 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高频声波谐振器的制备方法,其特征在于,所述高频声波谐振器的制备方法包括如下步骤:/n1)制备极低声阻部件;/n2)于所述极低声阻部件的上表面上形成压电膜;/n3)于所述压电膜的上表面形成图案化上电极。/n
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